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主要由丙二醇甲醚醋酸酯、甲酚 - 甲醛酚醛樹脂（CAS-NO.9016-83-5，濃度 21%）、6 - 重氮 - 5,6 - 二氫 - 5 - 氧代 - 1 - 萘磺酸與 2,3,4 - 三羥基二苯甲酮的酯化物（CAS-NO.68510-93-0，濃度 6%）等成分組成.

深硅刻蝕機PSE V300主要用于12英寸深硅刻蝕，同時兼具Bosch/Non-Bosch工藝，實現(xiàn)多工藝領域覆蓋。該機臺針對Bosch循環(huán)工藝方式采用專業(yè)先進的快速響應硬件配置及軟件流程控制，結合先進的工藝技術，可實現(xiàn)超高深寬比下良好的工藝性能，配置多腔平臺，滿足大產能量產使用需求。

深硅刻蝕機HSE P300主要用于12英寸硅刻蝕。采用Cluster結構布局，能夠減小占地，提升產能。系統(tǒng)主要由傳輸模塊、工藝模塊、灰區(qū)部件、電源柜等組成?？蓪崿F(xiàn)自動化地上下料及自動工藝。HSE M200主要用于4/6/8英寸深硅干法刻蝕工藝。可以配置手動及自動傳輸系統(tǒng)。產品配置高密度雙立體等離子體源，中心邊緣進氣，快速氣體切換，低頻脈沖下電極系統(tǒng)，可以實現(xiàn)高速、高深寬比及極小的側壁粗糙度。

卷對卷薄膜濺射系統(tǒng)裝置在真空狀態(tài)中對PET Film，以ITO或Metal Coating的設備, Heating, Plasma Etching, Sputter工序可以.

卷對卷薄膜濺射系統(tǒng)是在真空狀態(tài)下用于micro phone的厚度為4u Film的Gold(AU)做Sputtering的設備.

部件鍍膜設備是在真空狀態(tài)下在產品外部涂層非導電體的Coating設備，由真空內產品做著自傳，公轉,并能保持一定的膜厚度.