1. 產(chǎn)品概述

NMC 508系列 CCP介質(zhì)刻蝕機(jī)，多頻解耦設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的均勻性及高深寬比介質(zhì)刻蝕。

2. 設(shè)備用途/原理

NMC 508系列 CCP介質(zhì)刻蝕機(jī)，多頻解耦設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的均勻性及高深寬比介質(zhì)刻蝕。應(yīng)用域廣泛，涵蓋Si power、SiC Power、GaN Power、MEMS、硅光等。工藝種類(lèi)覆蓋道HM刻蝕、CT刻蝕、Spacer刻蝕，后道Via刻蝕、PAD刻蝕。靈活的系統(tǒng)配置，適合研發(fā)、中試線、大規(guī)模生產(chǎn)線的不同應(yīng)用。采用Clean Mode量產(chǎn)，道、后道均可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的量產(chǎn)穩(wěn)定性及更高的MTBC。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

晶圓尺寸 6/8 英寸兼容。適用材料 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅。適用工藝 鈍化層刻蝕、硬掩膜刻蝕、接觸孔刻蝕、導(dǎo)線孔刻蝕、側(cè)襯刻蝕、回刻、自對(duì)準(zhǔn)刻蝕。適用域 科研、集成電路、化合物半導(dǎo)體。