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深硅刻蝕設(shè)備

簡要描述:RIE-400iPB是一款電感耦合等離子體放電設(shè)備,用于博世MEMS和電子元件工藝中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是為研究和開發(fā)目的而改裝的。該系統(tǒng)由Robert Bosch GmbH(德國)授權(quán),能夠?qū)EMS和TSV所需的硅進行高速和高各向異性蝕刻。

  • 產(chǎn)品型號:RIE-400iPB
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2024-09-04
  • 訪  問  量: 366

詳細介紹

1. 產(chǎn)品概述

RIE-400iPB是一款電感耦合等離子體放電設(shè)備,用于博世MEMS和電子元件工藝中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是為研究和開發(fā)目的而改裝的。該系統(tǒng)由Robert Bosch GmbH(德國)授權(quán),能夠?qū)EMS和TSV所需的硅進行高速和高各向異性蝕刻。

2. 設(shè)備用途/原理

MEMS的制造(加速度傳感器、陀螺儀、壓力傳感器、執(zhí)行器等),μTAS等醫(yī)療設(shè)備的加工。

3. 設(shè)備特點

可以實現(xiàn)高速硅深孔加工它具有的等離子體源和反應(yīng)器結(jié)構(gòu),支持博世工藝,可實現(xiàn)硅的快速深鉆。保持速度,減少扇形通過高速切換氣體,可以在保持蝕刻速度的同時減少扇形??梢赃M行SiO?的蝕刻,可以通過更換用ICP線圈來處理SiO?。

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