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等離子體刻蝕設備

簡要描述:高密度等離子體刻蝕設備采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統(tǒng)配備了真空盒室,是一套完整的生產(chǎn)系統(tǒng),具有優(yōu)良的工藝重復性和穩(wěn)定性。

  • 產(chǎn)品型號:RIE-800iP
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2024-09-06
  • 訪  問  量: 356

詳細介紹

1. 產(chǎn)品概述

高密度等離子體蝕刻系統(tǒng)采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統(tǒng)配備了真空盒室,是一套完整的生產(chǎn)系統(tǒng),具有優(yōu)良的工藝重復性和穩(wěn)定性。

2. 設備用途/原理

GaN、GaAs、InP等化合物半導體的高精度加工。SiC、SiO?的高速加工。蝕刻鐵電材料(PZT、BST、SBT、SBT)、電材料(Pt、Au、Ru、Al)和其他難以蝕刻的材料。複合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。

3. 設備特點

新的ICP源 "HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil"??筛咝Х€(wěn)定地應用高射頻功率(2千瓦以上),并實現(xiàn)良好的均勻性。大流量排氣系統(tǒng)排氣系統(tǒng)直接連接到反應室,可以實現(xiàn)從小流量和低壓范圍到大流量和高壓范圍的廣泛工藝窗口。下電升降機構。晶片和等離子體之間的距離經(jīng)過優(yōu)化,以確保良好的平面內(nèi)均勻性。易于維護的設計。TMP(渦輪分子泵)集成在設備中,便于更換。


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