高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積

簡要描述：高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積系統(tǒng)主要由真空反應室、上蓋組件、噴淋頭裝置、熱絲架、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機臺、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。
本系統(tǒng)具有PECVD功能和熱絲CVD功能。
設備用途：
PECVD即是化學氣相沉積法，是一種化工技術，該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。

產(chǎn)品型號：PECVD
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時間：2024-08-13
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產(chǎn)品概述：
系統(tǒng)主要由真空反應室、上蓋組件、噴淋頭裝置、熱絲架、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機臺、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。
本系統(tǒng)具有PECVD功能和熱絲CVD功能。

設備用途：
PECVD即是化學氣相沉積法，是一種化工技術，該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法?；瘜W氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機材料的新技術。化學氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程精確控制?；瘜W氣相淀積已成為無機合成化學的一個新領域，PCEVD是等離子體增強化學氣相沉積英文的各個詞字母的字母。

真空室結構:

圓筒形上升蓋

真空室尺寸:

φ400x300mm

極限真空度:

≤6.67E-5Pa

沉積源:

設計待定

樣品尺寸，溫度:

φ4英寸，1片，最高600℃

占地面積（長x寬x高）:

約2.6米x1.6米x1.8米

電控描述:

全自動

工藝:

特色參數(shù) :

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