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簡要描述：PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系統(tǒng)利用高密度電感耦合等離子體實現(xiàn)快速刻蝕速率。該工藝模塊可提供出色的均勻性、高吞吐量、高精度和低損傷工藝，適用于最大尺寸為200毫米的晶圓，支持包括GaAs和InP激光光電子、SiC和GaN電力電子/射頻以及MEMS和傳感器在內(nèi)的多個市場領(lǐng)域。
產(chǎn)品型號：PlasmaPro 100 Cobra ICP廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時間：2024-09-05訪 問 量： 368產(chǎn)品分類
Product Category詳細介紹
1. 產(chǎn)品概述
PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系統(tǒng)利用高密度電感耦合等離子體實現(xiàn)快速刻蝕速率。該工藝模塊可提供出色的均勻性、高吞吐量、高精度和低損傷工藝，適用于大尺寸為200毫米的晶圓，支持包括GaAs和InP激光光電子、SiC和GaN電力電子/射頻以及MEMS和傳感器在內(nèi)的多個市場域。
高刻蝕速率和高選擇性
低損傷刻蝕和高可重復(fù)性加工
單晶圓裝載鎖定或可與多達5個工藝模塊集群
He背面冷卻，以實現(xiàn)佳溫度控制
寬溫度范圍電，-150°C至400°C
與所有大尺寸為200毫米的晶圓兼容
晶圓尺寸之間的快速轉(zhuǎn)換
原位腔室清潔和終點控制功能
2. 特色參數(shù)
PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系統(tǒng)利用高密度電感耦合等離子體實現(xiàn)快速刻蝕速率。該工藝模塊可提供出色的均勻性、高吞吐量、高精度和低損傷工藝，適用于大尺寸為200毫米的晶圓，支持包括GaAs和InP激光光電子、SiC和GaN電力電子/射頻以及MEMS和傳感器在內(nèi)的多個市場域。
晶圓尺寸：大可達200mm
ICP源尺寸可選：65mm和300mm
溫度范圍：從-150°C到400°C
集群：多達5個模塊，包括 ALD、PECVD、離子束刻蝕和離子束沉積等技術(shù)
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