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磁控濺射鍍膜設備

簡要描述:Kurt J. Lesker Company LAB Line UHV 磁控濺射鍍膜設備專為磁控濺射沉積應用而設計。為滿足 UHV 濺射工藝需求而定制的腔室設計、具有高級編程、負載鎖定功能的行業(yè)*軟件控制系統(tǒng)以及用于優(yōu)化薄膜性能的眾多功能是這種創(chuàng)新設計提供的一些優(yōu)勢。®

  • 產品型號:LAB Line
  • 廠商性質:經銷商
  • 更新時間:2024-09-06
  • 訪  問  量: 399

詳細介紹

Kurt J. Lesker Company LAB Line UHV 濺射平臺專為磁控濺射沉積應用而設計。為滿足 UHV 濺射工藝需求而定制的腔室設計、具有高級編程、負載鎖定功能的行業(yè)*軟件控制系統(tǒng)以及用于優(yōu)化薄膜性能的眾多功能是這種創(chuàng)新設計提供的一些優(yōu)勢。®

LAB Line 系列與以下技術兼容:

  • TORUS 磁控濺射(多達 12 個光源)®

  • 可根據要求提供定制配置

KJLC創(chuàng)新的eKLipse™軟件允許用戶友好的配方創(chuàng)建以及圖形用戶界面,該界面對于新的PVD用戶來說是直觀的,而對于經驗豐富的專業(yè)人士來說則是高級的。有關此直觀、可靠的軟件包的更多信息,請參閱“軟件"選項卡。

應用:

  • R&D 濺射沉積

  • 微電子學(金屬、金屬氧化物、電介質)

  • 數據存儲(磁性薄膜)

  • 磁性隧道結

  • 超導材料

  • 約瑟夫森交界處

  • 光學薄膜和光子學

LAB Line 是 Kurt J. Lesker 的 UHV 磁控濺射平臺。

只有 KJLC 提供 Mag-Keeper 濺射源,該濺射源在陰極體中具有零 O 形圈和磁耦合靶材,可輕松更換靶材。我們的冷卻井設計可在高達 200 瓦/英寸的功率密度下運行2.該陰極設計用于濺射厚達 0.375 英寸的目標。如果沒有壓緊夾或暗空間屏蔽,這種陰極能夠運行低至 1mTorr(取決于材料)。圓頂百葉窗設計消除了標準翻轉或擺動百葉窗所需的額外交叉污染屏蔽需求。

單擊以了解有關濺射速率和均勻性的更多信息。

LAB Line 專為實現*均勻性而設計,并允許。左邊的圖表顯示了按沉積類型和襯底晶圓直徑劃分的平均預期均勻性。使用輪廓儀或光譜反射儀進行厚度測量。實際可實現的均勻性將取決于系統(tǒng)和過程參數的最終配置。




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