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WLCSP晶圓級芯片封裝技術(shù)-矢量科學(xué)
2023-09-08

WLCSP(WaferLevelChipScalePackaging)即晶圓級芯片封裝方式,不同于傳統(tǒng)的芯片封裝方式(先切割再封測,而封裝后至少增加原芯片20%的體積),此種技術(shù)是先在整片晶圓上進行封裝和測試,然后才切割成一個個的IC顆粒,...

  • 2024-10-16

    有掩膜光刻機利用光學(xué)投影系統(tǒng),將預(yù)先制作好的掩膜上的電路圖案精確地投影到涂有光刻膠的硅片表面。經(jīng)過曝光和顯影處理后,光刻膠會在硅片表面形成所需的電路圖案。隨后,通過離子注入或刻蝕等工藝步驟,將電路圖案轉(zhuǎn)移到硅片上,形成實際的集成電路。有掩膜光刻機的功能特點:1.高精度:采用先進的光學(xué)系統(tǒng)和精密的機械結(jié)構(gòu),能夠?qū)崿F(xiàn)亞微米級別的分辨率,滿足高精度集成電路制造的需求。2.高效率:具備快速曝光和顯影功能,能夠在短時間內(nèi)完成大量硅片的光刻處理,提高生產(chǎn)效率。3.靈活性:支持多種不同尺寸...

  • 2024-09-11

    脈沖激光沉積鍍膜機PLD是一種利用脈沖激光進行薄膜沉積的技術(shù)。這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、光學(xué)鍍膜、電子器件等領(lǐng)域,特別是在制備復(fù)雜氧化物薄膜、高溫超導(dǎo)薄膜、生物相容薄膜等高性能薄膜方面表現(xiàn)出特殊的優(yōu)勢。工作原理基于激光與固體材料的相互作用。當高能脈沖激光照射到靶材上時,靶材表面會被快速加熱、熔化、蒸發(fā)甚至離子化,形成等離子體羽。這些等離子體在真空或背景氣體的環(huán)境中沉積到附近的基片上,形成薄膜。脈沖激光沉積鍍膜機PLD的結(jié)構(gòu)特點:1.激光發(fā)生器:產(chǎn)生高能量的脈沖激光,常見的有...

  • 2024-08-15

    脈沖激光沉積鍍膜機PLD技術(shù)是一種利用高能脈沖激光對材料進行蒸發(fā),從而在基底上沉積薄膜的先進鍍膜技術(shù)。這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于各種薄膜制備領(lǐng)域,如半導(dǎo)體薄膜、超導(dǎo)薄膜、納米薄膜等。PLD技術(shù)以其優(yōu)勢,如保留了靶材料的化學(xué)計量比、能夠制備復(fù)雜成分的薄膜等,在材料科學(xué)和表面工程領(lǐng)域占有重要地位。PLD技術(shù)基于激光與固體物質(zhì)相互作用的原理。當高能脈沖激光照射到靶材料上時,靶材料表面會被瞬間加熱至蒸發(fā),形成高溫等離子體羽。這些等離子體羽中包含的粒子具有與靶材料相同的化學(xué)計量比,它們在真空中...

  • 2024-07-12

    分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE是一種在高真空條件下,利用分子束或原子束進行材料生長的技術(shù)。該系統(tǒng)通過精確控制不同源材料的分子束強度,實現(xiàn)對薄膜材料組分、摻雜和結(jié)構(gòu)的精細調(diào)控,是現(xiàn)代半導(dǎo)體物理實驗室和光電子器件研究中的重要設(shè)備。在MBE系統(tǒng)中,被加熱的源材料會在超高真空環(huán)境下蒸發(fā)形成分子束或原子束,這些束流直接噴射到襯底上,并在其上沉積生長成薄膜。由于是在高真空環(huán)境下進行,分子束在傳輸過程中幾乎不會與殘余氣體發(fā)生碰撞,因此能夠保證制備的薄膜具有高的純度和精確的摻雜分布。分子束外延...

  • 2024-06-14

    半導(dǎo)體參數(shù)測試儀作為探索微觀世界的關(guān)鍵工具,通過其高精度和靈活的測試功能,為用戶提供了可靠的半導(dǎo)體性能評估平臺。不僅提升了材料和器件的研發(fā)效率,還為半導(dǎo)體產(chǎn)品的質(zhì)量控制提供了重要的數(shù)據(jù)支持。半導(dǎo)體參數(shù)測試儀的設(shè)計特點:1.高精度測量:采用高精度的測量技術(shù),能夠準確測量微小的電流、電壓和電阻等參數(shù)。2.靈活的測試模式:設(shè)備支持多種測試模式,包括I-V、C-V和脈沖測量等,滿足不同的測試需求。3.自動化測試:集成自動化測試功能,可以實現(xiàn)快速、一致的測試流程,提高測試效率。4.數(shù)據(jù)...

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