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高真空電子束蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室、主抽過渡管路、旋轉(zhuǎn)基片架、光加熱系統(tǒng)、電子槍及電源、石英晶體振蕩膜厚監(jiān)控儀、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、安裝機臺等部分組成,體現(xiàn)立方整體外觀,適用于超凈間間壁隔離安裝,操作面板一端處在相對要求較高超凈環(huán)境,其余部分(含低溫泵抽系統(tǒng))處在相對要求較低超凈環(huán)境。
產(chǎn)品概述: 高真空電子束及熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)主要由蒸發(fā)真空室、E型電子槍、熱阻蒸發(fā)組件、旋轉(zhuǎn)基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測量、安裝機臺及電控系統(tǒng)等部分組成,自動控制軟件系統(tǒng)。 設(shè)備用途: 電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點材料,比一般電阻加熱蒸發(fā)熱效率高、 束流密度大、蒸發(fā)速度快,制成的薄膜純度高、質(zhì)量好,厚度可以較準(zhǔn)確地控制,可以廣泛應(yīng)用于制備高純薄膜和導(dǎo)電玻璃等各種光學(xué)材料薄膜。
高真空熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)主要由有機/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng);真空測量系統(tǒng);蒸發(fā)源;樣品加熱控溫;電控系統(tǒng);配氣系統(tǒng)等部分組成。該系統(tǒng)可與手套箱對接。熱蒸發(fā)是指把待鍍膜的基片或工件置于真空室內(nèi),通過對鍍膜材料加熱使其蒸發(fā)氣化而沉積于基體或工件表面并形成薄膜或涂層的工藝過程。可在高真空下蒸發(fā)高質(zhì)量的不同厚度的金屬薄膜,廣泛應(yīng)用于物理,生物,化學(xué),材料,電子等領(lǐng)域。
產(chǎn)品概述: 高真空有機及熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)主要由有機/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng);真空測量系統(tǒng);蒸發(fā)源;樣品加熱控溫;電控系統(tǒng);配氣系統(tǒng)等部分組成。 設(shè)備用途: 熱蒸發(fā)是指把待鍍膜的基片或工件置于真空室內(nèi),通過對鍍膜材料加熱使其蒸發(fā)氣化而沉積于基體或工件表面并形成薄膜或涂層的工藝過程??稍诟哒婵障抡舭l(fā)高質(zhì)量的不同厚度的金屬薄膜,廣泛應(yīng)用于物理,生物,化學(xué),材料,電子等領(lǐng)域。
產(chǎn)品概述: 超高真空激光分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)由真空腔室(外延室、進樣室)、樣品傳遞機構(gòu)、樣品架、立式旋轉(zhuǎn)靶臺、基片加熱臺、抽氣系統(tǒng)、真空測量、工作氣路、電控系統(tǒng)、計算機控制等各部分組成。 設(shè)備用途: 脈沖激光沉積(Pulsed Laser DeposiTION,簡稱PLD)是新近發(fā)展起來的一項技術(shù),繼20世紀(jì)80年代末成功地制備出高臨界溫度的超導(dǎo)薄膜之后,它的優(yōu)點和潛力逐漸被人們認(rèn)識和重視。