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化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)AIX 2800G4-TM （IC2）“基于 GaAs/InP 的光電子學(xué)和射頻應(yīng)用的 HVM 最佳反應(yīng)器”

金屬有機(jī)源氣相沉積系統(tǒng)MOCVD主要由真空室反應(yīng)系統(tǒng)、氣體（載氣與氣相有機(jī)源）輸運(yùn)控制系統(tǒng)、有機(jī)源蒸發(fā)輸運(yùn)控制系統(tǒng)、電源控制系統(tǒng)、尾氣處理及安全保護(hù)報警系統(tǒng)組成。 MOCVD系統(tǒng)作為化合物半導(dǎo)體、超導(dǎo)等薄膜材料研究和生產(chǎn)的手段，特別是作為工業(yè)化生產(chǎn)的設(shè)備，有著其它半導(dǎo)體設(shè)備無法替代的優(yōu)點(diǎn)。它的高質(zhì)量、穩(wěn)定性、重復(fù)性及多功能性越來越為人們所重視。

產(chǎn)品概述： 高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積系統(tǒng)主要由真空反應(yīng)室、上蓋組件、熱絲架、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。 設(shè)備用途： 高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積PECVD就是化學(xué)氣相沉積法，是一種化工技術(shù)，該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法。

高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積系統(tǒng)主要由3個真空沉積室（分別沉積P、I、N結(jié)）、1個進(jìn)樣室、1個中央傳輸室、平板式電極、基片加熱臺、工作氣路、傳送機(jī)械手、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺、射頻電源、甚高頻電源、尾氣處理裝置、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。

產(chǎn)品概述： 系統(tǒng)主要由3個真空沉積室（分別沉積P、I、N結(jié)）、1個進(jìn)樣室、1個中央傳輸室、平板式電極、基片加熱臺、工作氣路、傳送機(jī)械手、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺、射頻電源、甚高頻電源、尾氣處理裝置、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。 設(shè)備用途： 團(tuán)簇型等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD），采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在光學(xué)玻璃、硅片、石英、不銹鋼片等不同襯底材料上，沉積氮化硅、非晶硅、微晶硅、二氧

高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積系統(tǒng)主要由真空反應(yīng)室、上蓋組件、噴淋頭裝置、熱絲架、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。 本系統(tǒng)具有PECVD功能和熱絲CVD功能。 設(shè)備用途： PECVD即是化學(xué)氣相沉積法，是一種化工技術(shù)，該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法。