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全新CIF 實(shí)驗(yàn)室型等離子清洗機(jī)并非傳統(tǒng)等離子體清洗設(shè)備設(shè)計(jì)理念，可中試生產(chǎn)、模擬生產(chǎn)條件，幾乎具備等離子體清洗設(shè)備所有的功能。采用頂置真空倉(cāng)，上開(kāi)蓋下壓式鉸鏈開(kāi)關(guān)方式，上置式360度自由取放樣品托盤(pán)設(shè)計(jì)，具有較大的腔體尺寸和有效樣品處理面積，使用成本低，性?xún)r(jià)比高，處理快速高效，特別適合于大學(xué)，科研院所和光電企業(yè)實(shí)驗(yàn)室小批量中試生產(chǎn)。

磁控濺射鍍膜機(jī)Sputter應(yīng)用領(lǐng)域：巨磁電阻（GMR）、組合材料科學(xué)（CMS）、半導(dǎo)體、超導(dǎo)體、納米級(jí)器件、光子學(xué)、光伏（PV）、OLED（發(fā)光二極管）、有機(jī)薄膜。

脈沖激光沉積鍍膜機(jī)PLD系統(tǒng)主要由真空室、旋轉(zhuǎn)靶臺(tái)、基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、真空測(cè)量及電控系統(tǒng)等部分組成。

電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)E-Beam 概述：系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室、主抽過(guò)渡管路、旋轉(zhuǎn)基片架、光加熱系統(tǒng)、電子槍及電源、石英晶體振蕩膜厚監(jiān)控儀、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)等部分組成。

熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)Thermal Evaporation 設(shè)備用途：熱蒸發(fā)是指把待鍍膜的基片或工件置于真空室內(nèi)，通過(guò)對(duì)鍍膜材料加熱使其蒸發(fā)氣化而沉積于基體或工件表面并形成薄膜或涂層的工藝過(guò)程?？稍诟哒婵障抡舭l(fā)高質(zhì)量的不同厚度的金屬薄膜。蒸鍍薄膜種類(lèi)：Au, Cr, Ag, Al, Cu, In,有機(jī)物等

分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE 是在超高真空系統(tǒng)中把所需要的結(jié)晶材料放入到噴射爐中，將噴射爐加熱。使結(jié)晶材料形成分子束，從爐中噴出后，沉積在高溫的單晶基片上。如果設(shè)置幾個(gè)噴射爐，就可以制取多元半導(dǎo)體混晶，又可以同時(shí)進(jìn)行摻雜?？梢跃_地控制結(jié)晶生長(zhǎng)，進(jìn)行沉積系統(tǒng)中結(jié)晶生長(zhǎng)過(guò)程的研究。