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電感耦合等離子體 （ICP） 沉積系統(tǒng)，SENTECH SI 500 D 用于介電膜的高密度、低離子能量和低壓等離子體沉積，以及用于鈍化層的低損傷、低溫沉積。 SENTECH SI 500 D ICPECVD 系統(tǒng)代表了電感耦合等離子體 （ICP） 處理在研究和工業(yè)中等離子體增強化學氣相沉積介電薄膜、非晶硅、SiC 和其他材料的優(yōu)勢。該系統(tǒng)包括 ICP 等離子體源 PTSA、一個動態(tài)溫控基板電

PlasmaPro 100 Nano 用于生長1D / 2D納米材料和異質(zhì)結(jié)構(gòu)的CVD / PECVD工具。 PlasmaPro 100 Nano通過在線催化劑活化和嚴格的工藝控制，實現(xiàn)納米材料的高性能生長。

FlexAL系統(tǒng)可提供遠程等離子體原子層沉積（ALD），這為納米結(jié)構(gòu)和器件的工程設計提供了一系列新的靈活性和可行性。ALD產(chǎn)品家族涵蓋的系列設備可以滿足學術(shù)界、企業(yè)研發(fā)和小規(guī)模生產(chǎn)的多種需求。

PlasmaPro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝性能。直開式設計可實現(xiàn)快速晶圓裝卸，是科學研究、原型設計和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高性能工藝。

枚葉式等離子CVD設備CMD系列 CMD系列是用SiH4和TEOS成膜的a-Si膜、氧化硅膜、氮化膜成膜用的枚葉式CVD設備。

Load-lock式Plasma CVD設備 CC-200/400 Load-lock式Plasma CVD設備CC-200/400是小型的使用便利的可對應從研究開發(fā)到量產(chǎn)的設備。