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PlasmaPro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開(kāi)式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開(kāi)式設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)快速晶圓裝卸，是研究、原型設(shè)計(jì)和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過(guò)優(yōu)化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來(lái)實(shí)現(xiàn)高性能工藝。

PlasmaPro 800 為大批量晶圓和 300mm 晶圓的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 （PECVD） 工藝提供了靈活的解決方案，它采用了緊湊的開(kāi)放式裝載系統(tǒng)?？蓪?shí)現(xiàn)大型晶圓大規(guī)模的批量生產(chǎn)和 300mm 晶圓處理。

設(shè)計(jì)PECVD工藝模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、應(yīng)力、電學(xué)特性和濕法化學(xué)刻蝕速率的前提下，生產(chǎn)均勻性好且沉積速率高的薄膜。 PlasmaPro 100 PECVD 由于電極溫度均勻性和電極中的噴淋頭設(shè)計(jì)，可提供出色的保形沉積和低顆粒生成，允許射頻能量產(chǎn)生等離子體。等離子體的高能反應(yīng)性物質(zhì)提供高沉積速率，以達(dá)到所需的基板厚度，同時(shí)保持低壓。其雙頻 13.56MHz 和 100KHz 功率應(yīng)

AE物理氣相沉積平臺(tái)Nexdep PVD在經(jīng)濟(jì)性和多功能性之間取得了平衡。它可以配備強(qiáng)大的工藝增強(qiáng)功能，而不會(huì)占用實(shí)驗(yàn)室的所有空間或預(yù)算。您的研究目標(biāo)、生產(chǎn)需求和/或應(yīng)用最終目標(biāo)將告知如何裝備您的 Nexdep PVD 平臺(tái)。

該ICPCVD工藝模塊設(shè)計(jì)用于在低生長(zhǎng)溫度下生產(chǎn)高質(zhì)量的薄膜，通過(guò)高密度遠(yuǎn)程等離子體實(shí)現(xiàn)，從而實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀的薄膜質(zhì)量，同時(shí)減少基板損傷。

憑借在蝕刻GaN，SiC和藍(lán)寶石等材料方面的豐富經(jīng)驗(yàn)，我們的技術(shù)既能夠滿(mǎn)足性?xún)r(jià)比的要求、又能使器件的性能得到更優(yōu)化。 PlasmaPro 100 Polaris單晶圓刻蝕系統(tǒng)為得到更為精細(xì)的刻蝕效果提供了智能解決方案，使您在行業(yè)中能保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。