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PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系統(tǒng)利用高密度電感耦合等離子體實(shí)現(xiàn)快速刻蝕速率。該工藝模塊可提供出色的均勻性、高吞吐量、高精度和低損傷工藝，適用于最大尺寸為200毫米的晶圓，支持包括GaAs和InP激光光電子、SiC和GaN電力電子/射頻以及MEMS和傳感器在內(nèi)的多個市場領(lǐng)域。

EIS-1500是由ELIONIX研發(fā)的108mm的大直徑光束，通過充分利用光束面內(nèi)分布監(jiān)控功能，可以實(shí)現(xiàn)各向異性干法蝕刻的離子束刻蝕機(jī)。

科瓦普物理氣相沉積平臺COVAP PVD 為許多過程應(yīng)用提供了緊湊、經(jīng)濟(jì)且仍然強(qiáng)大的解決方案。專為需要安全可靠的工具的實(shí)驗(yàn)室而設(shè)計(jì)，該工具可在緊湊的占地面積內(nèi)生產(chǎn)可重復(fù)的高質(zhì)量薄膜。沉積源被隔離，以減少熱效應(yīng)和交叉污染。配備了一整套可拆卸的腔室屏蔽層，以確保腔室易于清潔和維護(hù)。在腔室打開時，源、級功率和氣動壓力被切斷，確保了優(yōu)良的安全性。它可以集成到手套箱中，也可以在獨(dú)立配置中選擇.

EIS-200ERP是由ELIONIX研發(fā)的離子束刻蝕機(jī)，緊湊和高性能，使用 ECR 離子束可以進(jìn)行納米蝕刻和沉積，制品特微。

MA200 3代掩模對準(zhǔn)光刻機(jī)專為大批量生產(chǎn)而設(shè)計(jì)，適用于200毫米以下晶圓和方形襯底的自動化加工。本系統(tǒng)集全場光刻技術(shù)與多種創(chuàng)新功能于一身。使其成為眾多應(yīng)用的優(yōu)秀系統(tǒng)，例如生產(chǎn)厚膠工藝MEMS、有凹凸圖形的 3D 結(jié)構(gòu)以及先進(jìn)封裝應(yīng)用，如3D封裝、扇出封裝、凸點(diǎn)封裝及化合物半導(dǎo)體和圖像傳感器。

ELS-HAYATE是由ELIONIX研發(fā)的超高吞吐量電子束光刻機(jī)，提供業(yè)界大的 5 毫米偏轉(zhuǎn)。非常適合需要關(guān)注字段間拼接錯誤的應(yīng)用。